| ОКР «Разработка установки МОС-гидридной эпитаксии (МОГФЭ) для получения гетероструктур на основе GaN для СВЧ-транзисторов и МИС, светодиодов и перспективных приборов радиофотоники с групповой обработкой подложек 5×Ø100 мм и 3×Ø150 мм», шифр «Поток» |
| ОКР «Разработка установки молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для выращивания соединений А3B5 на монокристаллических подложках диаметром до 150 мм для получения гетероструктур СВЧ-микроэлектроники, фотоприёмной техники и радиофотоники на основе InAlGaAs (в вариантном исполнении – n+GaN и тонких эпитаксиальных слоёв AlGaN)», шифр «Авангард» |
| Двузонный молекулярный источник для испарения (галлия, индия) |
| Поставка установки электроннолучевого напыления пленок в сверхвысоком вакууме со шлюзовой загрузкой |